CAS 409-21-2 მაღალი სიწმინდე სილიკონის კარბიდის ფხვნილი Nano Sic Nanopowder და ნანონაწილაკები

Silicon Carbide (sic), რომელიც ასევე ცნობილია როგორც Carborundum, არის სილიკონის და ნახშირბადის ნაერთი ქიმიური ფორმულით. ეს ბუნებაში გვხვდება, როგორც ძალიან იშვიათი მინერალური მოისანიტი. სინთეზური სილიკონის კარბიდის ფხვნილი მასობრივი წარმოებით იქნა წარმოებული 1893 წლიდან, როგორც აბრაზიული. სილიკონის კარბიდის მარცვლეული შეიძლება ერთმანეთთან ერთად შეიკრიბონ, რომ შექმნან ძალიან რთული კერამიკა, რომელიც ფართოდ გამოიყენება პროგრამებში, რომლებიც საჭიროებენ მაღალ გამძლეობას, მაგალითად, მანქანის მუხრუჭები, მანქანის სამაგრები და კერამიკული ფირფიტები ტყვიაგაუმტარი ჟილეტებით. სილიკონის კარბიდის ელექტრონული პროგრამები, როგორიცაა მსუბუქი გამოსხივების დიოდები (LED) და ადრეულ რადიოებში დეტექტორები, პირველად აჩვენეს 1907 წელს. SIC გამოიყენება ნახევარგამტარული ელექტრონიკის მოწყობილობებში, რომლებიც მოქმედებენ მაღალ ტემპერატურაზე ან მაღალ ძაბვებზე, ან ორივეში. სილიკონის კარბიდის დიდი ერთჯერადი კრისტალები შეიძლება გაიზარდოს ლელის მეთოდით; ისინი შეიძლება მოჭრილიყვნენ თვლებით, რომლებიც ცნობილია როგორც სინთეზური მოისანიტი. მაღალი ზედაპირის ფართობის მქონე სილიკონის კარბიდი შეიძლება წარმოიქმნას მცენარეთა მასალაში განთავსებული SIO2- დან.